【IT168 评测】虽说西数是全球首个采用64层3D TLC NAND的厂家，但是细究起来，西数用的64层3D TLC NAND其实是基于东芝的第三代Bit Cost Scaling（BiCS）技术打造，说得更直白点就是西数的3D NAND其实是东芝家的。
本着肥水少流外人田的原则，东芝也顺势推出了旗下首款采用64层3D TLC NAND的TR200系列SATA SSD，这也是为什么笔者会在原厂颗粒之前加个“真”字的原因。TR200共有三种容量版本，分别是240GB、480GB和960GB，我们今天要说的就是240GB 的TR200 SSD。
一、外观解析
TR200系列其实是延续了OCZ Trion 100和Trion 150/TR150的命名，Trion/TR系列是东芝收购OCZ之后定位入门级的SSD。从包装上来看，绿色确实给人耳目一新的感觉，右上角贴有SSD的容量标签，右下角印有TR200的烫银字样，整个包装上没有一个OCZ的字样，不知道以后OCZ这个牌子会何去何从。
和包装上所印一致，TR200正面贴有一张风格鲜明的身份标签，标签的上下两端印有类似金属质感的粗犷线条，线条下还有蜂巢状的六边形图案，中间一条印有Toshiba和TR200的字样。
SSD背面，印有容量、条形码、产地、各种认证标识等基础信息，可以看到TR200外壳的颜色其实是磨砂质感的银色。
SATA 3.0接口，理论带宽为6Gb/s，这块TR200 240GB的最大顺序读写速度分别有555MB/s和540MB/s，最大4K随机读写速度分别有79k IOPS和87k IOPS。
撬开外壳之后就可以把PCB拿出来了，主控上贴有一块厚厚的导热垫已经被撕掉，可以看到PCB的正面由一颗主控和四颗闪存颗粒组成，并没有看到缓存颗粒。
背面同样有四颗闪存颗粒。
主控颗粒为群联的PS3111-S11，这是一颗40nm工艺打造，支持双通道、无需缓存的主控，最大容量支持1TB，这也就解释了为什么我们在PCB上没有看到缓存颗粒的问题。
闪存颗粒为东芝自家的64层3D TLC NAND，基于第三代BiCS技术打造，单颗容量256Gb（32GB），8颗组成240GB。
二、基准测试
测试平台如下表：
测试环境、软件如下表：
测试平台是8核心16线程的AMD Ryzen 7 1800X，搭配技嘉AORUS X370主板，内存是2条2133频率的海盗船复仇者LPX DDR4，主硬盘是英睿达MX300 750GB，其余配置见上表。测试软件分别是AS SSD、ATTO、CDI、CDM、TxBENCH和PCMark 8。
首先用CrystalDiskInfo看下硬盘信息，确认硬盘当前的传输模式为SATA 3.0（6Gb/s），另外可以看到这块TR200还是第一次通电呢。
首先来看大家最常用的AS SSD，因为AS SSD的测试机制问题，通常会比其他测试软件慢一些。这块TR200 240GB的顺序读写分别有523MB/s和458MB/s，4K随机读写分别有45MB/s和80MB/s。切换到IOPS之后，64线程的4K随机读写分别有89k IOPS和81 IOPS，感觉像是把官方的标称值倒过来了。
从ATTO的测试结果来看，这块TR200 240GB的最高顺序读写分别能够达到562MB/s和544MB/s，读写速度比较接近，并且全部高于555MB/s和540MB/s的标称值。
再来看CDM的测试，Q32T1的顺序读写速度分别有561MB/s和500MB/s，读取速度高过标称值，写入速度稍低一些，4K随机读写分别有30MB/s和99MB/s。
TxBENCH的成绩比CDM稍低一些，最高顺序读写分别有557MB/s和494MB/s，基本也是在560MB/s和500MB/s上下。
最后来看测试场景更加符合实际的PCMark 8 Storge吧，总分4872属于比较主流的水准，每项测试成绩也基本是在正常的水平上。受制于SATA 3.0接口的带宽限制，每款SATA SSD在轻度负载下的差别不会太大，顶多也就是一两秒的差距，只有在重度的Photoshop heavy下才会出现10s以上的区别。
三、评测总结
东芝在3D NAND技术上的研发无疑走在了行业前列，TR200系列SSD正是基于东芝自家的第三代BiCS技术打造，闪存的堆叠层数已经来到了64层，堆叠层数越多也就意味着SSD容量可以做得更大，同时成本也会越低。
性能方面，我们测试的这块东芝TR200 240GB有着SATA SSD中比较主流的水准，毕竟SATA 3.0的带宽摆在那里，想要有所突破只能选择PCIe通道的SSD了，但是从实际体验来看，SATA SSD并不比PCIe SSD慢多少，只有在类似重度使用Photoshop时才会有比较明显的差距。
