【IT168 厂商动态】固态硬盘主要由主控、缓存和闪存组成，闪存既是固态硬盘的主要成本要素，也是固态硬盘性能的直接决定者。

　　一块固态硬盘是否优秀很大程度上取决于它所使用的闪存。消费级固态硬盘当前已经发展到TLC时期，并有望于今年末进入QLC世代。在容量变大的同时，闪存的写入性能会受到不利的影响，SLC缓存就是为解决闪存写入速度短板而生。

　　闪存使用电子记录和表达数据，TLC闪存每个存储单元可以记录3比特数据，因而被命名为Triple-Level Cell。当然，在必要的时候，它也可以模拟SLC闪存使用，即每个存储单元只记录1个比特数据，此时它的读写速度都将接近于SLC闪存的表现，这就是SLC缓存的基本原理。

　　所有TLC固态硬盘都使用了SLC缓存，东芝TR200也不例外。

　　TR200使用了当前非常先进的64层堆叠3D TLC闪存，相比二维闪存具有更高的存储密度和更大的存储器单元间隔，写入速度更高使用寿命更长。不过，3D闪存要发挥更强的性能依然需要有一些闪存特性的配合。

　　Copy Back是闪存芯片的一项功能，它可以快速的将1个页(Page)的内容复制到另外一个指定的页当中。这对于垃圾回收(GC，Garbage Collection)非常有用，借助Copy Back可以快速地将有效页从准备擦除的块中提取出来写入到新的块中，完成对有效页的整理归并。相比传统的先将Page读取到外置缓存，再由外置缓存写入新的Page更为高效。

　　Copy Back将一整页(来源Page)中读取并复制到闪存面(Plane)的内部页缓存区当中，再将它写入到另一个页中(目标Page)，数据资料无需经过外置缓存，减少了数据在外置缓存间传输的时间，同时也减轻了主控的数据处理压力，实现类似于DMA(直接存储器访问)的效果。

　　东芝TR200所用BiCS3闪存支持Copy Back指令，除了能提升GC垃圾回收的效率之外，还增强了SLC缓存释放的效率。

　　当然，使用Copy Back实现SLC缓存的释放处理，对闪存出错率提出了很高的要求。由于Copy Back有可能造成数据存储过程中累积错误bit位数增加，只有高品质的TLC闪存才能满足Copy Back的要求。东芝制造的BiCS 3D闪存以优秀的高可靠性表现充分胜任Copy Back需求，TR200也因此具备了业界领先的高性能水准。

　　关于东芝：

　　东芝于1987年发明了NAND闪存，并且率先于1991年开始量产该产品，开创了闪存世界。2007年，东芝首次宣布三维闪存堆叠技术：BiCS Flash。