DDR3与DDR2内存的基本结构原理都是相同的，DDR2内存频率按照Clock Frequency(即I/O Buffer速度)计算的，因此假设内存颗粒的Core Frequency核心频率为100MHz的话，通过4bit的数据预取Prefetch技术，实现400Mbps的数据总线速度。

　　而DDR3更进一步把数据预取Prefetch技术提升至8bit，内存颗粒内的Memory Cell Array每周期会内部传送8bit的数据给I/O Buffer单元，而I/O Buffer进一步以4倍于DRAM核心频率工作，因此在相同的DRAM核心频率下，DDR3相比DDR2数据总线速度因此而增加两倍。假设内存颗粒的Core Frequency核心频率同样为100MHz的话，再DDR3的内存模组上则可实现800Mbps的数据总线速度。

三星DDR3 1066颗粒

　　事实上，JEDEC定下了DDR2 533的CL为4、DDR2 667的CL为5及DDR2 800的为6，其内存延迟值均为15ns。而DDR3 1066、DDR3 1333及DDR3 1600的CL值分别为7、8及9，把内存颗粒的运行频率计算在内，其内存模组的延迟值分别为13.125、12.ns及11.25ns。也就是说，虽然DDR3的CAS Latency周期参数相比起DDR2的会较高，但算上内存的实际执行频率，DDR3总体的延迟值表现是优于DDR2，因此若在相同的频率以及相同的周期参数设置下，DDR3理论上表现突出，但实际表现呢......