闪存盘的一个大特点便是它的写入速度远不如读取速度快，但这并不不是所有闪存的共同问题，只是较大范围内存在这样的问题，其根源在于受于成本和体积的限制，大多数大容量USB闪存盘均采用MLC的闪存颗粒，只有极少数采用SLC的闪存颗粒，那么究竟MLC和SLC有什么本质的区别呢?
SLC全称单层式储存 (Single Level Cell)。SLC因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC Flash可以经受10万次的读写，因此出现坏Block的几率较小。MLC(多层式储存—Multi Leveled Cell)是那种充分利用Block的技术，它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个Block中记录两组位信息(00、01、11、10)，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍，这对于曾经工艺制程遇到瓶颈的NAND Flash而言，是非常好的消息。
不过MLC除了同制程、同晶圆面积时理论大一倍的记录空间外，存在一些先天的弊端，比如说电压区间更小，Flash就需要更多的CRC校验空间，这会大概占据Block中10%的空间，因此实际使用中同制程同晶圆面积的MLC的容量不到SLC的一倍。
MLC技术的Flash还有一个缺点，它的读写速度先天不如SLC，一个Block存储两组位数据，自然需要更长的时间，这里面还有电压控制、CRC写入方式等因素需要考虑。综合而言，SLC在寿命和性能方面拥有独特的优势，不过需要更好的工艺制程才能拥有较大的容量。而MLC虽然在容量方面有先天的优势，但在速度和寿命方面存在先天的不足。
关于如何分辨MLC和SLC技术的USB闪存盘，这真是个非常难的问题，因为目前没有测试软件能够测试，也没有几个厂商愿意声明自己的闪存盘究竟使用什么技术，但是有一点可以肯定，那便是写入速度超过25MB/s的，基本上都是SLC技术的产品。不过大家也不要对MLC颗粒闪存抱有恐惧，毕竟在目前正常的使用环境下，MLC闪存也能稳定使用数年。过分去强调SLC而贬低MLC，只是本末倒置的行为，对购买毫无帮助。
