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继续拉低每GB价格 三星860 EVO 2TB SSD评测

  【IT168 评测】前不久我们刚刚为大家带来了860 PRO的评测,还没看过的小伙伴可以看这篇文章《64层3D MLC 三星860 PRO 512GB SSD评测》点击查看详情

  笔者带大家简单回顾一下,64层3D NAND是这代860 PRO/EVO的显著特点,这也是三星自家V-NAND技术的第四代产品,堆栈层数增多意味着可以在有限的面积内装下更多的die,进一步提升SSD的容量。

  那么除了能够带来更大的容量外,860 EVO还能给我们什么惊喜呢?下面就来看看我们今天要说的主角吧。

外观内部解析:64层3D TLC颗粒

  一、外观/内部解析

外观内部解析:64层3D TLC颗粒

  860 EVO在包装上依然延续了三星SSD一贯的设计风格,正面以产品为主体,左下角印有860 EVO的产品型号、M.2接口以及V-NAND的字样,右上角标有2TB的容量。

  860 PRO/EVO在包装上的一个显著区别就是型号下的丝带颜色,PRO是红色,EVO是橙色。

外观内部解析:64层3D TLC颗粒

  860 EVO和860 PRO一样都是5年质保,在包装背面中间偏右的位置可以找到5年质保的字样。

外观内部解析:64层3D TLC颗粒

  860 EVO一共有三种接口,分别是M.2、mSATA和SATA 3.0接口,我们拿到的这块860 EVO是M.2接口,2280规格。

外观内部解析:64层3D TLC颗粒

  860 EVO虽说是M.2接口,但别忘了M.2接口有Socket 2和Socket 3两种类型,Socket 2支持SATA和PCI-E 3.0×2通道,Socket 3支持PCI-E 3.0×4通道,换句话说,Socket 3要比Socket 2更快,当然两者对比的只是理论带宽。

  860 EVO的接口是Socket 2类型,走的是SATA通道,所以你就不会吃惊它的550MB/s、520MB/s的顺序读写速度和97000IOPS、88000IOPS的4K随机读写速度基本和SATA 3.0接口的SSD是一个水平了。

外观内部解析:64层3D TLC颗粒

  再教大家如何一眼就能分辨Socket 2和Socket 3接口吧,像860 EVO这样金手指有两个缺口的就是Socket 2,像上面那个金手指有一个缺口的就是Socket 3。

外观内部解析:64层3D TLC颗粒

  主控颗粒方面860 EVO和860 PRO一样都是三星全新的MJX主控,新主控除了增加了对LPDDR4缓存的支持外,其他信息目前还不清楚。

外观内部解析:64层3D TLC颗粒

  缓存颗粒为2GB的LPDDR4。

外观内部解析:64层3D TLC颗粒

  闪存颗粒是三星自家的第四代V-NAND,堆栈层数从第三代的48层提升到64层,单颗容量可以做到1TB,两颗组成2TB。2TB也是目前M.2接口SSD所能达到的最大容量。

  860 EVO 2TB的写入寿命为1200TBW,也就是600次全盘写入,相比同容量的860 PRO寿命减半。

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