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Intel正与紫光谈判 将授权3D NAND闪存技术

2018-03-12 11:13    来源:快科技  作者: 上方文Q 编辑: 赵华铭

  (原题目:Intel看上紫光:授权最先进3D闪存技术)

  据韩国媒体报道,为了满足PC、智能手机市场对NAND闪存的持续高需求,Intel正在与中国紫光集团谈判,授权其生产64层3D NAND闪存。

  这种闪存技术来自Intel、美光合资的IMFlash,不过到明年初,双方将结束合作,各自独立优化自己的产品和服务,同时Intel会把所持股份几乎全部卖给美光,从中脱身。

  Intel当前使用和供应的闪存都来自IMFlash,如果完全独立势必会大大影响产能和供应量,而当前闪存市场需求又持续高位,Intel迫切需要一个新的伙伴。

  而紫光是中国半导体行业发展中大力扶持的关键对象。未来五年,中国将在半导体行业投入1万亿元人民币,目标是到2025年将自主产能提高到70%,紫光自然扮演着极为关键的角色。

  目前,紫光已经投资300亿美元,在南京兴建自己的内存、闪存工厂,还与建兴联合在苏州兴建SSD开发制造工厂。

  如此一来,紫光能得到Intel的垂青,也毫不意外。

  目前还不清楚Intel、紫光授权的具体内容,是单纯的制造授权,还是更高级的技术授权。

  如果是后者,紫光还能将Intel闪存用于自家产品,在自主闪存尚不完全成熟的情况下可以作为一个补充,但也希望自主闪存不要因此荒废了自己,毕竟这种教训实在太多了。

  无论如何,这对紫光来说都是一次极好的发展机遇,可以与当今世界上最先进的闪存技术零距离接触,对增强自身技术实力有莫大好处。

  韩国媒体也认为,这将是对三星、SK海力士、东芝的一次严峻挑战。

  另外,IMFlash还在开发新一代96层堆叠3D闪存,并辅以10nm级别制造工艺,容量密度将比现在的64层提高一倍,未来也有望落户紫光。


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