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英特尔公布技术路线图,5年量产新技术并进军3nm?

  虽然近年来英特尔在制造工艺上的进步相当缓慢,将14nm工艺翻来覆去用了好几年,但是真要论半导体方面的技术实力,英特尔在世界范围仍是名列前茅的存在。而在今日刚刚结束的国际超大规模集成电路会议上,英特尔的首席技术官、实验室总监Mike Mayberry就谈到了英特尔对外来的技术研究和方案。

  Mike Mayberry表示英特尔未来的晶体管结构研究中,包括了GAA环绕栅极、2D MBCFET多桥-通道场效应管纳米片结构,乃至最终摆脱CMOS的限制。目前英特尔采用的是FinFET立体晶体管,受本身的结构限制,很难做得更小,而全新的GAA环绕栅极结构则是重新设计了晶体管底层结构,所以可以做得更小、更宽。目前在该领域有所研究的并不止英特尔,三星、台积电都有这方面的研究。

  随后,有记者问Mike Mayberry:“之前提到的纳米线、纳米带结构的晶体管何时能够量产?”,对此,Mike Mayberry表示并没有明确的时间,但是在5年内应该可以完成。作为英特尔目前路线图中的最终方案,纳米线/带结构的晶体管将会有望被运用到3nm工艺上。不过,Mike Mayberry同时也说道,如果工艺方面进展不顺利,那么也有可能会用到5nm工艺上。

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