3月31日消息，日本先进半导体制造商 Rapidus 首席技术官石丸一成在接受《日经 XTECH》采访时表示，公司计划在 2026 年内全面启动 1.4nm 制程的研发工作，目标是在 1nm 节点上与台积电的时间差缩短至约半年。

　　石丸一成坦承，2025 年 7 月宣布启动 2nm GAA 试制时工艺和设备尚未完全准备就绪，但经过 2025 年 9 至 11 月的快速改进，2nm 性能已得到显著提升。Rapidus 计划从 2026 年底开始生产客户设计的 2nm 测试芯片，为 2027 年量产奠定基础，1.4nm 节点则目标 2029 年量产。

　　Rapidus 深度依托与 IBM 的技术合作，有约半数工程师常驻美国纽约州开展联合研发，这一国际合作模式是其追赶先进制程的重要支撑。日本政府也持续为 Rapidus 提供补贴，支持其在先进制程领域追赶台积电和三星。

　　当前全球先进半导体制造格局中，台积电 2nm 产能已进入量产阶段，三星亦在同步布局。Rapidus 若能按计划实现技术路线图，将对日本半导体产业重回先进制程阵营具有战略意义。