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积塔半导体与英飞凌签署合作协议,深化嵌入式非易失存储 eNVM 技术协作

“AI摘要”

上海积塔半导体与英飞凌签署合作协议,双方将在嵌入式非易失存储领域深化技术协作,共同推动特色工艺代工能力升级。积塔半导体已布局eFlash、SONOS、RRAM三条技术路线,此次引入的SONOS技术具备工艺兼容性好、成本低等优势。此次合作将丰富高可靠、成本敏感场景下的解决方案,对国内半导体特色工艺发展具有积极意义。

  4月9日消息,上海积塔半导体在 2026 技术创新研讨会上与英飞凌正式签署项目合作协议,双方将围绕嵌入式非易失存储领域深化技术协作,共同推动特色工艺代工能力升级。

  积塔半导体目前已建和在建月产能按 8 英寸晶圆计共 30 万片,存储技术布局形成 eFlash、SONOS、RRAM 三条路线并行。此次引入的 SONOS 技术具备工艺兼容性好、集成成本低、量产数据充分的优势。

  作为专注于特色工艺的半导体企业,积塔与英飞凌的合作将丰富在高可靠且成本敏感场景下的解决方案,对国内半导体特色工艺代工能力有积极意义。

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