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英特尔代工成功研发出 19 微米氮化镓芯粒,基于 300 毫米硅基晶圆制程

“AI摘要”

英特尔成功研发出全球最薄氮化镓芯粒,基底硅片厚度仅19微米,约为头发丝直径的五分之一。该技术将氮化镓晶体管与硅基电路集成于单一芯片,可直接在电源芯粒中实现复杂计算功能,无需额外芯片。经测试具备商用潜力,可用于数据中心高效稳压器及5G/6G基站,且兼容现有产线,无需大规模新增设备。

  4月9日消息,英特尔代工服务实现新里程碑,成功研发出全球较薄的氮化镓芯粒,基底硅片厚度仅 19 微米,约为人类头发丝直径的五分之一,由 300 毫米硅基氮化镓晶圆加工制成。

  研究人员成功将氮化镓晶体管与传统硅基数字电路集成在单一芯片上,可直接在电源芯粒中实现复杂计算功能无需额外辅助芯片。严苛测试验证表明该技术具备可靠的商用落地潜力。

  该技术可为数据中心打造体积更小能效更高的稳压器,在 5G 及 6G 通信基站中氮化镓晶体管的高频性能优势明显。英特尔采用标准 300 毫米硅晶圆生产,兼容现有产线无需大规模新增设备。

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