4月24日消息，NEO Semiconductor 宣布其 3D 堆叠内存 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明该技术可利用现有 3D NAND 闪存生产线进行生产，大幅降低了新型存储器的量产门槛。
X-DRAM 验证芯片实现了 10 的 14 次方循环耐久，读写延迟低于 10ns，85 度环境下数据保持时间超过 1 秒，达到 JEDEC 标准 DRAM 规格的 15 倍以上。该技术采用类 3D NAND 的设计思路，有望实现 8 倍密度和 230 层堆叠。
NEO Semiconductor 同时获得了由宏碁创始人施振荣领导的新一轮战略投资。X-DRAM 如能量产，将为高密度内存市场带来新的解决方案。
