4月30日消息，三星电子在 2026Q1 财报电话会议上表示，计划 2026 年第二季度出样 HBM4E 内存。一季度 DRAM ASP 增长超过 90%，NAND ASP 增幅也接近 90%，预计今年 HBM 内存销售额将同比增长 3 倍，从 Q3 开始 HBM4 将占到 HBM 整体收入的一半以上。
晶圆代工部分，三星 Q1 成功赢得大型光通信组件公司订单，奠定硅光子业务基础。下半年将启动 2nm 第二代移动产品产能爬坡，加速扩展 4nm 内存产品和 4nm LPU 产能。美国泰勒项目 1 号晶圆厂年内产能爬坡，2 号晶圆厂计划正在审议。
三星显示下半年将通过差异化旗舰产品和 8.6 代 IT OLED 量产推动营收增长。HBM4E 的出样标志着存储行业竞争进入新阶段。
