5月25日消息，华为发布自研DoB封装技术，成功绕过400层NAND堆叠限制，造出122TB企业级SSD。
NAND闪存的容量提升一直依赖增加堆叠层数，当前行业3D NAND已突破200层。华为的DoB封装技术通过创新的封装方案在不增加堆叠层数的前提下大幅提升存储容量，122TB的单盘容量在企业级SSD中处于行业顶尖水平。这一技术突破对数据中心和云计算领域的存储密度提升具有重要意义。
铠侠计划2027年量产BiCS10 332层NAND，三星正开发250TB近线固态硬盘。美光CEO称内存短缺或持续至明年，新产能2028年才能大规模释放。华为在存储领域的技术突破为国产存储产业的发展注入了新动力。
