5月26日消息，SK海力士发布控温散热存储技术iHBM。该技术不更换存储芯片封装设计即可实现直接降温，热阻降低超过30%。
HBM（高带宽存储）是AI加速器的核心组件，随着AI芯片算力的持续提升，HBM的功耗和发热问题日益突出。iHBM技术通过创新的散热方案，在不改变现有封装结构的前提下大幅降低热阻，有效改善了存储芯片的散热效率。降低热阻超30%意味着在相同工作负载下芯片温度显著下降，有助于提升稳定性和延长使用寿命。
美光HBM4增产进展顺利，HBM4E计划明年启动大规模生产。TrendForce预计主要NAND原厂2026年几无新增产能，供给短缺预计持续全年。存储技术在AI时代的重要性正在被重新定义。
