5月26日消息，三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存的原型开发。
3D NAND闪存通过垂直堆叠存储单元来提升单芯片容量。当前主流产品已突破200层，铠侠计划2027年量产332层NAND。三星的900层原型将单芯片存储密度推向了全新高度。超高层数堆叠面临蚀刻精度、层间应力和散热等多项技术挑战。三星的突破意味着在先进存储制造工艺上继续保持行业领先。
SK海力士发布控温散热存储技术iHBM。华为自研DoB封装技术绕过400层NAND造出122TB企业级SSD。全球存储技术竞赛持续升级，从层数堆叠到封装创新，各厂商在多条技术路线上同步推进。
