联发科今日正式宣布，其下一代旗舰移动处理器将独家采用英特尔的 EMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge - Thin）先进封装技术，预计 2027 年第四季度量产。这是联发科与英特尔在芯片封装领域的重要合作，有望突破传统封装的性能和能效瓶颈。

　　▎ EMIB-T 技术优势

　　EMIB-T 是英特尔 EMIB 封装技术的薄型版本，允许将多个芯片裸片以极短的互连距离封装在一起，实现接近单片芯片的性能表现。与传统的 PoP（Package on Package）堆叠相比，EMIB-T 的互连带宽更高、信号延迟更低，且功耗优势明显。

　　通过 EMIB-T 封装，联发科可以在一颗 SoC 中集成更多功能模块（如 5G 基带、AI 加速器和Wi-Fi 7/Wi-Fi 8 无线模块），同时保持紧凑的封装尺寸。这为下一代天玑旗舰芯片在性能和集成度上的突破提供了技术基础。

　　▎ 产业链影响

　　格罗方德已完成对新思科技 ARC 处理器 IP 解决方案业务的收购。英特尔 18A 和 14A 工艺进展喜人，LGA1954 接口将兼容三代平台。英特尔下代至强 Coral Rapids 最多包含 320 个核心。全球芯片制造和封装技术正迎来新一轮创新高潮。