我们知道，在2008年末AMD发布了45nm工艺的CPU，但它并不是采用High-K栅介质的技术，而Intel的High-K技术肯定是未来半导体工艺发展方向，相信全球有制造能力的半导体生产线都将在32nm时使用该类技术，且必须使用该类技术。我们看到，虽然现有非Intel技术的45nm甚至不久后的40nm已经诞生，但在成品的功耗控制方面却大大落后于Intel的45nm技术，而今天我们在Intel 32nm技术上将再次验证HighK带来的低功耗的神奇。
32纳米制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。英特尔对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。 在45纳米制程中，高k电介质的等效氧化层厚度为1.0纳米。而在32纳米制程中，此氧化层的厚度仅为0.9纳米，而栅极长度则缩短为30纳米。
晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍——32纳米制程采用了业内最紧凑的栅极间距。32纳米制程采用了与英特尔45纳米制程一样的置换金属栅极工艺流程，这样有利于英特尔充分利用现有的成功工艺。这些改进对于缩小集成电路（IC）尺寸、提高晶体管的性能至关重要。采用高k+金属栅极晶体管的32纳米制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。
由于氧化层厚度减小，栅极长度缩短，晶体管的性能提高了22%以上。这些晶体管的驱动电流和栅极长度创造了业内非常好的纪录。此外，漏电电流也得到了优化。与45纳米制程相比，NMOS晶体管的漏电量减少5倍多，PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。由于上述改进，电路的尺寸和性能均可得到显著优化。除此之外，32纳米还采用了第四代应变硅技术，用于提高晶体管的性能——这样一来，英特尔便可争取更多的时间和机会进行更多技术创新。
