更快的运算效能和更低的电力消耗

　　 R600芯片是ATI以AMD图形部门身份亮相后拿出的首款产品，它和NVIDIA的G80芯片同属于第一代DirectX 10图形核心，那个时候的AMD仍然遵循着较为传统的GPU研发思路，即性能至上。而在和NVIDIA G92的第二代DirectX 10图形核心竞争中，ATI RV670已经开始逐步转换了这一传统思路，变性能至上为性价比先行，主攻主流市场，高阶市场则拿出“单卡双芯”概念，加之TSMC 55nm制造工艺以及DirectX 10.1等技术支持，均为日后第三代DirectX 10图形核心RV770的诞生和成功奠定了坚实的基础。

　　 因此在上面这张PDF文档的截图中，你可以看到从R520核心的Radeon X1800到R580核心的Radeon X1900再到R600核心的Radeon HD 2900，虽然在这其间经过了从制造工艺到微架构体系再到DirectX API接口的多重改变，但是你会发现图形芯片的每瓦浮点运算量和每平方毫米浮点运算量是趋于水平的。而从RV670核心的Radeon HD 3800系列到RV770核心的Radeon HD 4800系列，即便是图形核心的制造工艺没有更迭，你还是能够看到上述两项指标出现了几何形的增长，这亦是设计思路转变的体现。

　　 RV740图形芯片的出现又一次让每瓦浮点运算量和每平方毫米浮点运算量有了几何形的增长，这显然和40nm制造工艺是不无关系的。一方面，晶体管之间连接线宽的变短帮助RV740图形芯片在137平方毫米的面积上容纳了8.26亿个的晶体管，因此它能够做到和Radeon HD 4830一样的640个流处理器数量；另一方面，RV740的芯片面积从RV770的256平方毫米大幅缩减至137平方毫米，而每平方毫米芯片面积上可容纳的晶体管数量也从0.037亿个增至0.06亿个，因此出现单位运算效能的几何攀升就很正常了。

Radeon HD 4770配备了一组6-Pin的PCI Express供电接口

　　 值得一提的是，TSMC在40nm图形芯片上同样使用了High-K介质的新型材料，这对控制终端显卡产品的功耗无疑是大有益处的。AMD给出Radeon HD 4770显卡的参考功耗值是80W，这仅比PCI Express插槽所能够提供的75W电力高出了5W而已，而同样具有640个流处理器，且核心工作频率还要比Radeon HD 4770慢上不少的Radeon HD 4830显卡则需要110W左右的电力。不过为了稳妥起见，AMD还是为Radeon HD 4770配备了一组6-Pin的PCI Express供电接口，以保证其在工作中足够的电力供应。